Главная » 2018 » Май » 7 » Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
20:16:24
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов — В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев.
Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Автор: Красников Г. Я.
Издательство: Техносфера
Год: 2011
Страниц: 800
Формат: PDF
Размер: 24,85 МБ
ISBN: 978-5-94836-289-2
Качество: Отличное
Серия: Мир электроники

Скачать Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Скачать с turbobit.net
Скачать с file-upload.com
Скачать с www.up-4ever.com
Категория: Усе до ігор | Просмотров: 122 | Добавил: pmojka | Теги: 2011, особенности, Красников, субмикронных, Конструктивно-технологические, МОП-транзисторов
Всего комментариев: 0
ComForm">
avatar